Showing 25 of 542 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N638
Semitronics Corp
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1 | Transistor, | 2N638 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N638
GPD Optoelectronics Corp
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1 | Transistor | 2N638 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6388G
onsemi
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1 | High DC Current Gain - hFE=2500 (Typ) @Ic=4.0 Adc ; Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387 Vceo (sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6388; Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387 Vceo (sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6388; Low Collector-Emitter Saturation Voltage- Vce(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ Ic=5.0 Adc; Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors; T0-220AB Compact Package; Epoxy meets UL94, VO @ 1/8 inch; ESD Ratings | Transistor Outline, Vertical | 2N6388G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6386
Motorola
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1 | Bipolar Junction Transistor, Darlington, NPN Type, TO-220AB | Transistor Outline, Vertical | 2N6386 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6387G
onsemi
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1 | High DC Current Gain - hFE=2500 (Typ) @Ic=4.0 Adc ; Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387 Vceo (sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6388; Collector-Emitter Sustaining Voltage - @ 100 mAdc Vceo(sus) = 60 Vdc (Min) - 2N6387 Vceo (sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6388; Low Collector-Emitter Saturation Voltage- Vce(sat) = 2.0 Vdc (Max) @ Ic=5.0 Adc; Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors; T0-220AB Compact Package; Epoxy meets UL94, VO @ 1/8 inch; ESD Ratings | Transistor Outline, Vertical | 2N6387G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N638A
GPD Optoelectronics Corp
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1 | Transistor | 2N638A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N638B
GPD Optoelectronics Corp
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1 | Transistor | 2N638B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6386
Texas Instruments
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0 | 2N6386 | 2N6386 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6387
Texas Instruments
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0 | 2N6387 | 2N6387 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6380E3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-63, Metal, 3 Pin | 2N6380E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6382
Boca Semiconductor Inc
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1 | Transistor | 2N6382 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6386
Mospec Semiconductor Corp
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6386 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6385.MOD
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin | 2N6385.MOD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6387N
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6387N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6387
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | 2N6387 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6387T
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6387T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6388BU
onsemi
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6388BU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6386-6258
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6386-6258 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6387
Swampscott Electronics Co Inc
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6387 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6386
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6386 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6386
TT Electronics Resistors
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6386 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6387-6200
Harris Semiconductor
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6387-6200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6388
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | Transistor | 2N6388 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6387UA
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6387UA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6388W
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2N6388W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||