Showing 25 of 429 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6760 |
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2N6766
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6766 |
0
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2N6768R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6768R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6765
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6765 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6768
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6768 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6764 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6765
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6765 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766-JQRR1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6766-JQRR1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6766 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764
Advanced Semiconductor Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6764 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764T1
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | 2N6764T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760
Semiconductor Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6760 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6761
General Electric Solid State
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1 | Transistor | 2N6761 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6761
Semiconductor Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6761 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6765
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6765 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760E3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6760E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6762R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 4.5A, 500V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3 | 2N6762R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764TXV
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE | 2N6764TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760
Unitrode Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6760 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6767
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6767 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,200V V(BR)DSS,30A I(D),TO-3 | 2N6766 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6766
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6766 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6760TX
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | 2N6760TX |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6764
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | 2N6764 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6762
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6762 |
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