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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796EDPBF
Infineon Technologies AG
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1 | 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF | 2N6796EDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796
Unitrode Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6796 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6793-SM
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6793-SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796SM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6796SM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6799LCC6-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 2N6799LCC6-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6797LCC4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 0.4ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6797LCC4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6791
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6791 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790U
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 200V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6790U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6791LCC4-JQR-B
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6791LCC4-JQR-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790TXV
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6790TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6799LCC4E4
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 350V, 1ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6799LCC4E4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6791
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 2A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 | 2N6791 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790.MOD
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 0.92ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6790.MOD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796E
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6796E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6792
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6792 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796TXV
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6796TXV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796SCC5205/019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6796SCC5205/019PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796EPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6796EPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6796EC
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6796EC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6793R1
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39 | 2N6793R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6793
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6793 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6790EDPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6790EDPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6794R1
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 3.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | 2N6794R1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6799LCC4-JQR-A
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | 3A, 350V, 1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LCC4-15 | 2N6799LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N6799LCC4-JQR-A
TT Electronics Resistors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 350V, 1ohm, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N6799LCC4-JQR-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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