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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002P
Nexperia
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1 | NXP 2N7002P N-channel MOSFET Transistor, 0.36 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 | Other | 2N7002P |
3
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2N7002P
Testboy
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1 | N-Channel 60 V 360mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236AB | SOT23 (3-Pin) | 2N7002P |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002P
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | 2N7002P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PBFREE
Central Semiconductor
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1 | The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N7002 type is an N-Channel enhancement-mode MOSFET manufactured by the N-Channel DMOS Process, designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. | SOT23 (3-Pin) | 2N7002PBFREE |
3
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2N7002P,235
Nexperia
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1 | N-Channel 60 V 360mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236AB | SOT23 (3-Pin) | 2N7002P,235 |
3
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2N7002PV
Nexperia
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1 | 60 V, 350 mA dual N-channel Trench MOSFET | Other | 2N7002PV |
2
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2N7002P,235
Nylofix
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1 | MOSFET 2N7002P/SOT23/TO-236AB | SOT23 (3-Pin) | 2N7002P,235 |
3
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2N7002P,215
Nexperia
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1 | NEXPERIA - 2N7002P,215 - MOSFET,N CH,60V,0.36A,SOT23 | SOT23 (3-Pin) | 2N7002P,215 |
3
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2N7002PV,115
Nexperia
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1 | 60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET | SO Transistor Flat Lead | 2N7002PV,115 |
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2N7002PW
Nexperia
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1 | Trench MOSFET,N channel 60V,310mA SOT323 NXP 2N7002PW N-channel MOSFET Transistor, 0.31 A, 60 V, 3-Pin SOT-323 | SOT23 (3-Pin) | 2N7002PW |
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2N7002PS,115
NXP
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1 | Mosfet Array 60V 320mA 420mW Surface Mount 6-TSSOP | SOT23 (6-Pin) | 2N7002PS,115 |
3
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2N7002PSZ
Nexperia
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1 | Mosfet Array 60V 320mA (Ta) 280mW Surface Mount 6-TSSOP , 2.4V @ 250µA , 280mW , 150°C (TJ) | Other | 2N7002PSZ |
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2N7002PT
Nexperia
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1 | 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET | SOT23 (3-Pin) | 2N7002PT |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PW,115
Nexperia
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1 | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small SOT323(SC-70) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFETtechnology | SOT23 (3-Pin) | 2N7002PW,115 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PS,115
Nexperia
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1 | MOSFET MOSFET N-CH DUAL 60V | SOT23 (6-Pin) | 2N7002PS,115 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PT,115
Nexperia
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1 | 2N7002PT - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET@en-us SC-75 3-Pin | 2N7002PT,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PS
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002PS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PT
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002PT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PS
Nexperia
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002PS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PTGP
CHENMKO Enterprise Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2N7002PTGP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PW,115
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002PW,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PW
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002PW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PV,115
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002PV,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PV
NXP Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.35A I(D), 60V, 1.6ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002PV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2N7002PT,115
NXP Semiconductors
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2N7002PT,115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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