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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200N(S1,E,S)
Toshiba
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1 | Bip Tr.,NPN,230V/15A,TO-3P(N) Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) NPN Bipolar Transistor, 15 A, 230 V, 3-Pin TO-3P | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200N(S1,E,S) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200
Toshiba
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1 | NPN/15A/230V TO-264 150W TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200RTU
Rochester Electronics
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1 | NPN Epitaxial Silicon Transistor | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200RTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5227A-4-TB-E
onsemi
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1 | Low-noise : NF = 1.0 dB typ (f = 1 GHz); High gain : Forward Transfer Gain = 12 dB typ (f = 1 GHz); High cut-off frequency : fT = 7 GHz typ | SOT23 (3-Pin) | 2SC5227A-4-TB-E |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200N
Toshiba
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1 | NPN Bipolar Transistor, 230 V, 15 A, TO-3P(N) | Other | 2SC5200N |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200-O
Toshiba
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1 | Silicon NPN Triple Diffused Type | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200-O |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5242
Toshiba
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1 | NPN Bipolar Transistor, 230 V, 15 A, TO-3P(N) | Other | 2SC5242 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5226A-5-TL-E
onsemi
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1 | Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz); High gain (Forward Transfer Gain: 12dB typ at f=1.0GHz); High cut-off frequency : fT=7GHz typ | SOT23 (3-Pin) | 2SC5226A-5-TL-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200
STMicroelectronics
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1 | Bipolar Transistors - BJT 230V High Power NPN 30 MHz Audio Pwr App | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5226A-4-TL-E
onsemi
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1 | Low-noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz); High gain (Forward Transfer Gain: 12dB typ at f=1.0GHz); High cut-off frequency : fT=7GHz typ | SOT23 (3-Pin) | 2SC5226A-4-TL-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5242OTU
onsemi
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1 | Excellent Gain Linearity for low THD; High Fequency : 30MHz; Wide S.O.A for reliable operation; High Voltage : VCEO=250V; High Current Capability: IC = 15A; Thermal and electrical Spice models are available; Complement to 2SA1962/FJA4213; High Power Dissipation : 130watts | Transistor Outline, Vertical | 2SC5242OTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200-O(S1,F
Toshiba
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1 | Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200-O(S1,F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5245A-4-TL-E
onsemi
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1 | Low Noise : NF=0.9dB typ.(f=1GHz) : NF=1.4dB typ.(f=1.5GHz); High gain Forward Transfer Gain:10dB typ (f=1.5GHz); High cut-off frequency : fT=8GHz typ; Low-voltage, low-current operation (VCE=1V, IC=1mA) : fT=3.5GHz typ : Forward Transfer Gain=5.5dB typ (f=1.5GHz) | SOT23 (3-Pin) | 2SC5245A-4-TL-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200OTU
onsemi
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1 | High Frequency : 30 MHz; Excellent Gain Linearity for low THD; Complement to 2SA1943 / FJL4215; Wide S.O.A for reliable operation; High Current Capability: IC = 15 A; High Voltage : VCEO = 250 V; High Power Dissipation : 150 watts; Thermal and electrical Spice models are available | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200OTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200-R(Q)
Toshiba
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1 | Trans GP BJT NPN 230V 15A 150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PL | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200-R(Q) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200-O(S1,F,S)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SC5200-O(S1,F,S) NPN Bipolar Transistor, 15 A, 230 V, 3-Pin TO-3PL | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200-O(S1,F,S) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200RTU
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT NPN 230V 15A 150W | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200RTU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5242-O(Q)
Toshiba
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1 | Toshiba 2SC5242-O(Q) NPN Transistor, 15 A, 230 V, 3-Pin TO-3PN | Transistor Outline, Vertical | 2SC5242-O(Q) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5200-O(Q)
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT NPN 230V 15A | Transistor Outline, Vertical | 2SC5200-O(Q) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5201(TPE6)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN | 2SC5201(TPE6) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5229E
SANYO Electric Co Ltd
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC5229E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5214-13-1E
Mitsubishi Electric
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC5214-13-1E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5260-O
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.015A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC5260-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5211F
Isahaya Electronics Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.4A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC5211F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5256F-O
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC5256F-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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