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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5706-TL-H
onsemi
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1 | Adoption of FBET and MBIT processes; Large current capacitance; Low collector-to-emitter saturation voltage; High-speed switching; High allowable power dissipation | Other | 2SC5706-TL-H |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC5706-TL-H
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252 | 2SC5706-TL-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||