Showing 25 of 134 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ112
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ119
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ119 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ116
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | 2SJ116 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ115O
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,160V V(BR)DSS,8A I(D),TO-247VAR | 2SJ115O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ115Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ115Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ117
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ117 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ113
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ113 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ118
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | 2SJ118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ1152STR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ1152STR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ115
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ115 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ116
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ116 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ114
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ114 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ118
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ1151STR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ1151STR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ114
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | 2SJ114 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ115-O
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 8 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SJ115-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ117
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ117 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ113
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | 2SJ113 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ115-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 8 A, 160 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SJ115-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ116
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 400V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ116 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ119
Renesas Electronics Corporation
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1 | Transistor | 2SJ119 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RL32SJ113
Hokuriku Electric Industry Co Ltd
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1 | RESISTOR, METAL FILM, 1W, 5%, 200ppm, 11000ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED | RL32SJ113 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERG12SJ110V
Panasonic Electronic Components
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 0.5W, 11ohm, 300V, 5% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | ERG12SJ110V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MECF012SJ114TR
Synton-Tech Corp
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1 | Fixed Resistor, Carbon Film, 0.125W, 110000ohm, 150V, 5% +/-Tol, 350ppm/Cel | MECF012SJ114TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ROX2SJ110R
TE Connectivity
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1 | RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 2W, 5%, 300ppm, 110ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED | ROX2SJ110R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||