Showing 25 of 657 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ERG-2SJ183V
Panasonic
|
1 | NRFND 07/16/2019, NO REPLACEMENT ROHS COMPLIANT: YES | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ERG-2SJ183V |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ERG2SJ183V
Panasonic
|
1 | NRFND 07/16/2019, NO REPLACEMENT ROHS COMPLIANT: YES | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ERG2SJ183V |
2
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ188FA
onsemi
|
1 | Transistor | 2SJ188FA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ180-AY
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ180-AY |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ182(L)
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ182(L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ189TL
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 0.12ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2SJ189TL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ185
NEC Electronics America Inc
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN | 2SJ185 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ189FA
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ189FA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ186CYTR
Hitachi Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ186CYTR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ182(S)TL
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ182(S)TL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ181L
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ181L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ181(S)TR
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ181(S)TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ188
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ188 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ181(S)-(1)
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ181(S)-(1) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ184
NEC Electronics Group
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ184 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ188TP
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ188TP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ187(JA)TD
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ187(JA)TD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ182(L)
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ182(L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ181(L)
Renesas Electronics Corporation
|
1 | 25ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ181(L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ181(S)
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ181(S) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ185-T2B
Renesas Electronics Corporation
|
1 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),TO-236VAR | 2SJ185-T2B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ181(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ181(S)-(1) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ187-TC
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.75ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243 | 2SJ187-TC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ181(L)
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 25ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ181(L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SJ185-T1B-AT
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ185-T1B-AT |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||