Showing 25 of 53 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ239
Toshiba
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | Other | 2SJ239 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ235(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ235(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ234(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ234(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ230AY
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ230AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ238TE12L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ238TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ233
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ233 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ232
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 1.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ232 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ233-AY
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Si, POWER, FET | 2SJ233-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ234(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ234(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ232AY
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 100V, 0.95ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ232AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ239LBTE16R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ239LBTE16R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ238TE12R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ238TE12R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ232-AY
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Si, POWER, FET | 2SJ232-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ235(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ235(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ238
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ238 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ236
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ236 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ234(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ234(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ231-AN
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 500mA, 100V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 2SJ231-AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ237
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ234(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ234(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ235(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ235(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ235(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ235(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ237
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ237 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ235(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ235(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ230AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 60V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ230AZ |
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