Showing 25 of 113 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305
Toshiba
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1 | P-ch MOSFET, -30 V, -0.2 A, 4.0 Ω@2.5V, SOT-346(S-Mini) | Other | 2SJ305 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305TE85LF
Toshiba
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1 | MOSFET P-Ch Vth -0.5 -1.5V RDS 2.4Ohm 200mW | SOT23 (3-Pin) | 2SJ305TE85LF |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ302-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ307
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ307 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308-RB
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308-RB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ303
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305TE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | 2SJ305TE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308-YA
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ307-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 250V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SJ307-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ3080-021111F
Singatron Enterprises Co
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1 | 5 Pole(s), Solder Terminal, Jack | 2SJ3080-021111F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ306-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ306-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ306-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ306-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ303(0)-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ303(0)-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ300
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-126 | 2SJ300 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ306
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ306 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ302-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308-YB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308-YB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ308-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 250V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ308-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ303
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ3082-020111F
Singatron Enterprises Co
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1 | 5 Pole(s), Solder Terminal, Jack | 2SJ3082-020111F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ305(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ305(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302-Z
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ302-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ302-Z-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ302-Z-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||