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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ352-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ352 is a Silicon P Channel MOSFET. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ352-E |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ355-T1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ355-T1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ353-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ353-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ356C-T1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.556ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ356C-T1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ352
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ352 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ355-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ355-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ358-T1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ358-T1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ357-T1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ357-T1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ356-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.95ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ356-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ358-T2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ358-T2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ351
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 180V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ351 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ355-T1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ355-T1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ357-T2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ357-T2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ351-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 180V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ351-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ356C-T1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.556ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ356C-T1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ357-T2-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ357-T2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ358-T2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ358-T2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ356-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.95ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ356-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ358-T2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ358-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ357-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ357-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ358-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ358-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ358-T2
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ358-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ356C(0)-T1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.556ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ356C(0)-T1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ358-T1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ358-T1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ357
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ357 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||