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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ380
Toshiba
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1 | MOSFET 220NIS2 PLN,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(11-01)/OBSOLETE(11-04), | Transistor Outline, Vertical | 2SJ380 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ389S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 60V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ389S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ384(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 15A, 60V, 0.01ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SJ384(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ382-TR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2SJ382-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(L)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(L)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ384(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ384(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ384(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ384(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.2ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ388(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388S
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ388S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ388(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ384S
Renesas Electronics Corporation
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1 | 15A, 60V, 0.01ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SJ384S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ389L
Hitachi Ltd
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1 | 10A, 60V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ389L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ389(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ389(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388(L)
Hitachi Ltd
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1 | 0.2ohm, POWER, FET, DPAK-3 | 2SJ388(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ382TP-FA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 0.177ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ382TP-FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(S)-(1)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ387(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ383TP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 12V, 0.082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ383TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ389L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 60V, 0.2ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ389L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ387(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10A, 20V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SJ387(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ388L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ388L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||