Showing 25 of 85 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ40
Mitsubishi Electric
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET | 2SJ40 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ40D
Mitsubishi Electric
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET | 2SJ40D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ40B
Mitsubishi Electric
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET | 2SJ40B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ40E
Mitsubishi Electric
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET | 2SJ40E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ40C
Mitsubishi Electric
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET | 2SJ40C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ409(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ409(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ406
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ406 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ409(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ409(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ408S
Hitachi Ltd
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1 | 50A, 60V, 0.028ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HDPAK-3 | 2SJ408S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ404
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ402(TO-220FL)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ402(TO-220FL) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ408L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 50A, 60V, 0.028ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HDPAK-3 | 2SJ408L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ400
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ400 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ405
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ405 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ402
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ402 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ400-DL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 35A, 30V, 0.055ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SJ400-DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ402S1B
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SJ402S1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ407(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ407(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ401(2-10S1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ401(2-10S1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ401(TE24L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ401(TE24L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ402S2B
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SJ402S2B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ401(2-10S2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ401(2-10S2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ401
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ401 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ406
onsemi
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 200V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ406 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ408(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.028ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ408(S) |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||