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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ412(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ412(SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ410
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.85ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ410 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ412(2-10S2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ412(2-10S2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ416(JJ)TD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.65ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ416(JJ)TD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ412(TO-220SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ412(TO-220SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ412(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SJ412(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ418TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2SJ418TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ417TP-FA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ417TP-FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ418
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2SJ418 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ410
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 0.85ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ410 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ410-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 0.85ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ410-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ415
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ415 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ414
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ414 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ417
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ417 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ411
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ411 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ411-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ411-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ412
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ412 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ411-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ411-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ417TP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ417TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ417TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 2SJ417TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ418TP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ418TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ419TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 12V, 0.144ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ419TL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ412(TO-220FL)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ412(TO-220FL) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ412(2-10S1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ412(2-10S1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ415TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ415TL |
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