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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ50
Hitachi Ltd
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1 | Transistor | 2SJ50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ506(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.18ohm, POWER, FET, SC-64, 3 PIN | 2SJ506(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ505(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ505(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ503(TP-FA)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ503(TP-FA) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ505(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.036ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SJ505(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ505(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.036ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SJ505(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ507
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ507 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ504
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ504 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ509
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ509 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ506(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ506(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ508(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ508(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ503(TP)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TP, 3 PIN | 2SJ503(TP) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ503TP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 4000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TP, 4 PIN | 2SJ503TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ505(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ505(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ501
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ501 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ504-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ504-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ504
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ504 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ506L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ506L-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ505L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ505L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ506(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.18ohm | 2SJ506(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ506STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ506STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ503TP-FA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 4000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TP-FA, 4 PIN | 2SJ503TP-FA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ505(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.036ohm, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3 | 2SJ505(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ505S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.036ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ505S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ508
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ508 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||