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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERG-2SJ511A
Panasonic
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1 | Metal Oxide Resistors Metal Oxide Film Resistor 2W 5% | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ERG-2SJ511A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ512(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ512(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ518AZTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ518AZTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ511(TE12L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.76ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ511(TE12L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ518
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ518 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517TR
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SJ517TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YY
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YYUR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YYUR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YYUR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YYUR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ518AZTR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ518AZTR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ518
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ518 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YYTL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YYTL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ511(T2LYAZK,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.76ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ511(T2LYAZK,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YYUL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YYUL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YYTR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.43ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YYTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ511(TE12,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.76ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ511(TE12,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YYTR-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YYTR-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ512(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1.25ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ512(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ511
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.76ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ511(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 0.76ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ511(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YYTR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YYTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ517YYTL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ517YYTL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||