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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ534-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ534 is a Pch Single Power Mosfet -60V -18A 65Mohm To-220Fm. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ534-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ530L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ530L is a Pch Single Power Mosfet -60V -15A 100Mohm DPAK(L)-(2)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ530L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ530STR-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ530S is a Pch Single Power Mosfet -60V -15A 100Mohm DPAK(S)/To-252. | Other | 2SJ530STR-E |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ535-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ535 is a Pch Single Power Mosfet -60V -30A 37Mohm To-220Fm. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ535-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ538-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ538-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ533
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ533 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ530(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ530(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ538
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ538 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ531-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ531-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ531
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ531 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ532-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ532-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ537(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ537(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ539
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ539 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ532
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ532 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ535
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ535 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ537
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 50V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 2SJ537 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ530L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ530L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ537(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ537(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ532
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ532 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ530(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ530(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ534
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ534 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ531
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ531 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ530S-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ530S-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ530(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ530(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ530(S)-(3)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ530(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||