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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ541-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ541 is a Pch Single Power Mosfet -60V -15A 95Mohm To-220Ab. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ541-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ542-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SJ542 is a Pch Single Power Mosfet -60V -18A 65Mohm To-220Ab. | Transistor Outline, Vertical | 2SJ542-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ542
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ542 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ548-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ548-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ547
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ547 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ540-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ540-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ540
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ540 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.23ohm, POWER, FET, LDPAK-3 | 2SJ549(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ545-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ545-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ547
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ547 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ540
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ540 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ545
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ545 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ541
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ541 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ541
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ541 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549STL-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549STL-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ547-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.36ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ547-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549(S)-(1)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549(S)-(1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ542
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ542 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ544-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ544-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549L-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.23ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549L-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ546-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ546-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ549(S)-(2)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ549(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||