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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ587
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ587 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ588
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ588 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ581
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ581 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ587
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ587 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ586
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ586 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ589LS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.115ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ589LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ588
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ588 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ581-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ581-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ584LS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 250V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ584LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ583LS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 250V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ583LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ581
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ581 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ581-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.185ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ581-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ580
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ580 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ585LS
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 250V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ585LS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ586
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ586 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||