Showing 25 of 272 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ610(TE16L1)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SJ610(TE16L1) | 2SJ610(TE16L1) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ615
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ615 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ610(2-7B1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 2.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ610(2-7B1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ618
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 180V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ618 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ610
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 2.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ610 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ612
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ619
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 100V, 0.32ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ619 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ615
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ615 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ616
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ616 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ610(2-7J1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 2.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ610(2-7J1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ616
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ616 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ613
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ613 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ610(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ610(SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ612
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ612
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ612 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ613
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.069ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ613 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ613
onsemi
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1 | Transistor | 2SJ613 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ619(TE24L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SJ619(TE24L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ610(TE16L1,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 250V, 2.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ610(TE16L1,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ619(TE24L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ619(TE24L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ615
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ615 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SE-K250M1R00A2SJ611
YAGEO Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1uF, Through Hole Mount | SE-K250M1R00A2SJ611 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SX16M68B2SJ611
YAGEO Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 68uF, Through Hole Mount, ROHS COMPLIANT | SX16M68B2SJ611 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SE-K35M47B2SJ611
YAGEO Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Through Hole Mount | SE-K35M47B2SJ611 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SE-K35M47A2SJ611
YAGEO Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 47uF, Through Hole Mount | SE-K35M47A2SJ611 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||