Showing 25 of 440 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK12
Toshiba
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1 | N-CHannel J-FET | Other | 2SK12 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1277
FUJI ELECTRIC
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1 | n-channel mosfet | Transistor Outline, Vertical | 2SK1277 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK125
Sony
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1 | Silicon N-channel JFET | Other | 2SK125 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1254L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK1254L is a Nch Single Power Mosfet 120V 3A 400Mohm DPAK(L)-(1)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SK1254L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1241
onsemi
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel | 2SK1241 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1284-Z
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, MP-3Z, 3 PIN | 2SK1284-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK123TMG
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.002A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK123TMG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1259
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1259 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1215IGD
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel | 2SK1215IGD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1222
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1222 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1292-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1292-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1214
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 80V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1214 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1299(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1299(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1251
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1224
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 2SK1224 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1234
SANYO Electric Co Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET | 2SK1234 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1293
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1293 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK121
Sony Semiconductor
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1 | Transistor | 2SK121 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1290-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1290-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1274-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1274-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1273-T1
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1273-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1213
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SK1213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1292
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1292 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1285-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1285-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1273-T2
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1273-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||