Showing 25 of 447 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19
Texas Instruments
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0 | 2SK19 | 2SK19 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19
Micro Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92DD, 3 PIN | 2SK19 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19
National Semiconductor Corporation
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0 | Transistor | 2SK19 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK192A-Y(F)
Toshiba
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0 | MOSFET TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type | Other | 2SK192A-Y(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19-BL
Micro Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92DD, 3 PIN | 2SK19-BL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19GR
Semiconductors Inc
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1 | Transistor | 2SK19GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19-Y
Micro Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92DD, 3 PIN | 2SK19-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19-GR
Micro Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92DD, 3 PIN | 2SK19-GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19BL
Semiconductors Inc
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1 | Transistor | 2SK19BL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1928
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1928 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1934
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1000V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1934 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1920TP
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 250V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1920TP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1958
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1958 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1929(2-10S1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1929(2-10S1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1951
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1951 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1942-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1942-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1903-CB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1903-CB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1958-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 16V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1958-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1909SMP-FD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1909SMP-FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1945-01L
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1945-01L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1962
Panasonic Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | 2SK1962 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1950L
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1950L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1909SMP
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1909SMP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK190RR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK190RR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK197
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | 2SK197 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||