Showing 25 of 447 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19
Texas Instruments
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0 | 2SK19 | 2SK19 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19
Micro Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92DD, 3 PIN | 2SK19 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19
National Semiconductor Corporation
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0 | Transistor | 2SK19 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK192A-Y(F)
Toshiba
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0 | MOSFET TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type | Other | 2SK192A-Y(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19-BL
Micro Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92DD, 3 PIN | 2SK19-BL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19GR
Semiconductors Inc
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1 | Transistor | 2SK19GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19-Y
Micro Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92DD, 3 PIN | 2SK19-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19BL
Semiconductors Inc
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1 | Transistor | 2SK19BL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK19-GR
Micro Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-92DD, 3 PIN | 2SK19-GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK190RR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK190RR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK197
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | 2SK197 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1903-CB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1903-CB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1990
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1990 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1991
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1991 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1951
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1951 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1918(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.06ohm, POWER, FET | 2SK1918(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1919S
Hitachi Ltd
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1 | 40A, 60V, 0.028ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | 2SK1919S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1924
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1924 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1903-RC
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1903-RC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1953
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1953 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK197YDTR
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, N-Channel | 2SK197YDTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1968
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.88ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1968 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1952
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1952 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1942-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1942-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1950(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | 0.25 ohm, POWER, FET | 2SK1950(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||