Showing 25 of 1975 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK216
HITACHI
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1 | Silicon N-Channel MOS FET | Transistor Outline, Vertical | 2SK216 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba
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1 | JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS | SOT23 (5-Pin) | 2SK2145-BL(TE85L,F |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba
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1 | JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA | Other | 2SK2145-GR(TE85L,F |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2145
Toshiba
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1 | N-ch x 2 Junction FET, -50 V, 1.2 to 14 mA, SOT-25(SMV) | Other | 2SK2145 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2113YY-UL
Renesas Electronics Corporation
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1 | UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET | 2SK2113YY-UL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK214K
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK214K |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2160
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 200V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220ML, 3 PIN | 2SK2160 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2164
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMP, 3 PIN | 2SK2164 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2169-AZ
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 400mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 2SK2169-AZ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2198-4000
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2198-4000 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2159-T1
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2159-T1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2157-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | 5 A, 30 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PACKAGE-3 | 2SK2157-AZ |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2142-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SK2142-YA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2134
Renesas Electronics Corporation
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1 | 13 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN | 2SK2134 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2162(2-7J1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7J1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SK2162(2-7J1B) |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2134
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN | 2SK2134 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK210TE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal | 2SK210TE85R |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2152-TC
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243 | 2SK2152-TC |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2106
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FP, 3 PIN | 2SK2106 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2104
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2104 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2191-4102
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2191-4102 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2164-DR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 45A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SK2164-DR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2142-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SK2142-RA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2132
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 180V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2132 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SK2149
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 10 A, 500 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SK2149 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||