Showing 25 of 1958 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK216
HITACHI
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1 | Silicon N-Channel MOS FET | Transistor Outline, Vertical | 2SK216 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba
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1 | JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA | Other | 2SK2145-GR(TE85L,F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba
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1 | JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS | SOT23 (5-Pin) | 2SK2145-BL(TE85L,F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2145
Toshiba
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1 | N-ch x 2 Junction FET, -50 V, 1.2 to 14 mA, SOT-25(SMV) | Other | 2SK2145 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2138
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2138 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2174(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2174(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2137
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2137 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2149
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2149 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK217ZETL
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | 2SK217ZETL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2158
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2158 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2191-4102
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2191-4102 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK211-GRTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal | 2SK211-GRTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2142-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2142-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2157-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2157-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2144
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 5ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2144 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2192
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2192 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2162TE16R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 180V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2162TE16R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2106
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2106 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2135-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2135-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK210TE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236 | 2SK210TE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2152-TC
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243 | 2SK2152-TC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2158-T2B-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2158-T2B-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2104
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2104 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2109-T2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2109-T2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK214K
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK214K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||