Showing 25 of 1957 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK216
HITACHI
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1 | Silicon N-Channel MOS FET | Transistor Outline, Vertical | 2SK216 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba
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1 | JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS | SOT23 (5-Pin) | 2SK2145-BL(TE85L,F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba
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1 | JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA | Other | 2SK2145-GR(TE85L,F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2145
Toshiba
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1 | N-ch x 2 Junction FET, -50 V, 1.2 to 14 mA, SOT-25(SMV) | Other | 2SK2145 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK211-GR
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | 2SK211-GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2187-4100
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2187-4100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2164-DR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | 45A, 60V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | 2SK2164-DR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2144
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 5ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2144 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2179-4061
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2179-4061 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2177
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2177 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2113YY-TR
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel | 2SK2113YY-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2104
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2104 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2110-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2110-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2152-TC
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243 | 2SK2152-TC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2132
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 180V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2132 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2134
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2134 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2113YY-UL
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel | 2SK2113YY-UL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2142-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2142-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2157-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2157-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2130
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK213
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK213 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2153-TR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2SK2153-TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2109-T2-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2109-T2-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK211-GRTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal | 2SK211-GRTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2131-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2131-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||