Showing 25 of 1958 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SK216
HITACHI
|
1 | Silicon N-Channel MOS FET | Transistor Outline, Vertical | 2SK216 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2145-BL(TE85L,F
Toshiba
|
1 | JFET N-Ch Junction FET 10mA -50V VGDS | SOT23 (5-Pin) | 2SK2145-BL(TE85L,F |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2145-GR(TE85L,F
Toshiba
|
1 | JFET Junction FET N-Ch x2 1.2 to 14mA 10mA | Other | 2SK2145-GR(TE85L,F |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2145
Toshiba
|
1 | N-ch x 2 Junction FET, -50 V, 1.2 to 14 mA, SOT-25(SMV) | Other | 2SK2145 |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK213
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK213 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2153-TR
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2SK2153-TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2174(L)
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2174(L) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2171-TD
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-243 | 2SK2171-TD |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK210TE85R
Toshiba America Electronic Components
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-236 | 2SK210TE85R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2162
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 180V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2162 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK217ZDTL
Hitachi Ltd
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | 2SK217ZDTL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2130
Panasonic Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2130 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2134
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2134 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2162(2-7J1B)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 180V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2162(2-7J1B) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2198-4000
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2198-4000 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2131-AZ
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2131-AZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2169-AZ
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | 400mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET | 2SK2169-AZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2152-TC
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243 | 2SK2152-TC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2174(S)
Hitachi Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2174(S) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2106
ROHM Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2106 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2162TE16R
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 180V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2162TE16R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2179-4061
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 500V, 2.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2179-4061 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK2142-YA
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 250V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2142-YA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK211-GRTE85L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET RF Small Signal | 2SK211-GRTE85L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SK211-GR
Toshiba America Electronic Components
|
1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET | 2SK211-GR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||