Showing 25 of 100 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241
Toshiba
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1 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type 2SK241 2SK241 FM Tuner, VHF and RF Amplifier Applications | Other | 2SK241 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2414
NEC
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1 | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | Transistor Outline, Vertical | 2SK2414 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2410-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2410 is a Switching N-Channel Power Mosfet. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2410-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241-GR(TPE4)
Toshiba
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1 | MOSFET N-MINI FET(HF),ACTIVE,DISCON(07-10)/OBSOLETE(09-04), | Transistor Outline, Vertical | 2SK241-GR(TPE4) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241-GRTPE4
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK241-GRTPE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241-O
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK241-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241-YTPE4
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK241-YTPE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK241-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241-OTPE4
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK241-OTPE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241TPE4
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK241TPE4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK241-GR
Toshiba America Electronic Components
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK241-GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2411
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2411 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2415-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AB | 2SK2415-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2412
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2412 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2415-Z-E1
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2415-Z-E1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2415-Z-E1-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 2SK2415-Z-E1-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2414-Z-E2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2414-Z-E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2414-Z-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2414-Z-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2413-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2413-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2418SS
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2418SS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2414-Z
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2414-Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2417
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 250V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2417 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2417(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 250V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2417(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2412-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2412-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2418(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2418(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||