Showing 25 of 28 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK246
Toshiba
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1 | N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR CONSTANT CURRENT, IMPEDANCE CONVERTER AND DC-AC HIGH INPUT IMPEDANCE AMPLIFIER CIRCUIT APPLICATIONS) | Other | 2SK246 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2462-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2462 is a Silicon N Channel MOSFET. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2462-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK246-BL(F)
Toshiba
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1 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type ,−55~125 °C ,−50 V | Other | 2SK246-BL(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK246-GR
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 | 2SK246-GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK246-BL
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 | 2SK246-BL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK246-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 | 2SK246-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK246-BL(TE2,F,T)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK246-BL(TE2,F,T) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2462
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2462 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2467
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 180V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2467 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2463T100
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2463T100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2462
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220 | 2SK2462 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2467-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 180V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2467-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2466
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2466 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2469-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 300V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2469-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2463T101
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2463T101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2461-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220 | 2SK2461-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2460C7
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2460C7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2460N
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2460N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2464
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2464 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2462-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220 | 2SK2462-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2464TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2464TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2462(0)-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2462(0)-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2461-AZ
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220 | 2SK2461-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2463
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2463 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2460
ROHM Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2460 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||