2SK28 Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2847
Toshiba
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1 | MOSFET 3PNIS PLN,ACTIVE,DISCON(08-10)/PHASE-OUT(10-01)/OBSOLETE(10-04), | Transistor Outline, Vertical | 2SK2847 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2847(F)
Toshiba
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1 | 2SK2847(F) N-Channel MOSFET Transistor, 8 A, 900 V, 3-Pin TO-3PNIS Toshiba | Transistor Outline, Vertical | 2SK2847(F) |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2843
Toshiba
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1 | z Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.54 Ω (typ.)z High forward transfer admittance : |Yfs| = 9.0 S (typ.)z Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 600 V)z Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) | Transistor Outline, Vertical | 2SK2843 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2880B
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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1 | N channel junction type | Other | 2SK2880B |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2869L-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2869L is a Nch Single Power Mosfet 60V 20A 45Mohm DPAK(L)-(2)/To-251. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2869L-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2826-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK2826 is a Switching N-Channel Power Mosfet. | Transistor Outline, Vertical | 2SK2826-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2881D
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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1 | N Channel junction type | Other | 2SK2881D |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2880
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
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1 | resin-sealed N-channel junction field effect transistor | Other | 2SK2880 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2881
Mitsubishi Electric
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK2881 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2899-01R
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2899-01R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2843-01P
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Transistor | 2SK2843-01P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2838(TE24L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2838(TE24L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2851
Hitachi Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 | 2SK2851 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2828
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2828 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2869S
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2869S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2889(SM)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2889(SM) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2845(2-7B2B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 900V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2845(2-7B2B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2806-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK2806-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2869(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2869(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2845(2-7B5B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 900V, 9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2845(2-7B5B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2846(TP,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor | 2SK2846(TP,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2857-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-89 | 2SK2857-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2869(S)-(2)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2869(S)-(2) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2890-01
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2890-01 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK2885(S)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK2885(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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