2SK36 Model Download Search Results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK367
Toshiba
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1 | Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type | Other | 2SK367 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3635-AZ
Renesas Electronics
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1 | The 2SK3635 is a Switching N Channel MOSFET. | Transistor Outline, Vertical | 2SK3635-AZ |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK369-BL
Toshiba
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1 | JFET TO-92 FET(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | Other | 2SK369-BL |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK362
Toshiba
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1 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction TypeHigh breakdown voltage: VGDS = −50 V 80 Ω (typ.) (IDSS = 5 mA) | Other | 2SK362 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3607-01MR
FUJI ELECTRIC
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1 | MOSFET Low charge STripFET, V(BR)DSS 200V, VGS(th)5.0V max, IGSS 10 nA, VSD 1.1V | Other | 2SK3607-01MR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3611-01MR
FUJI ELECTRIC
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1 | N CHANNEL SILLICON MOSFET | Transistor Outline, Vertical | 2SK3611-01MR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3666-3-TB-E
onsemi
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1 | ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E N-channel JFET Transistor, 30 V, Idss 1.2 → 3mA, 3-Pin CP | Other | 2SK3666-3-TB-E |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3666-2-TB-E
onsemi
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1 | ON Semiconductor 2SK3666-2-TB-E N-channel JFET Transistor, 30 V, Idss 0.6 → 1.5mA, 3-Pin SOT-23 | SOT23 (3-Pin) | 2SK3666-2-TB-E |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK369-V(TPE2F)
Toshiba
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1 | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type, TO-92 | Other | 2SK369-V(TPE2F) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3653BCF
Renesas Electronics Corporation
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1 | 2SK3653BCF | 2SK3653BCF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3638-ZK-AZ
Renesas Electronics Corporation
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1 | 2SK3638-ZK-AZ | 2SK3638-ZK-AZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3666G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK3666G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3615(TP-FA)
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3615(TP-FA) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3653-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3653-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3617-TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.315ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3617-TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3643-ZK
NEC Electronics America Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AB, MP-3ZK, 3 PIN | 2SK3643-ZK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3625(2-10S1B)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 200V, 0.082ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3625(2-10S1B) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3658(TE12L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | 2SK3658(TE12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3676-01SJ
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK3676-01SJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK360IGF
Renesas Electronics Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon | 2SK360IGF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3653J6-A
NEC Electronics Group
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK3653J6-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK360IGDTR
Hitachi Ltd
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK360IGDTR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK368YTE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 | 2SK368YTE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK3645-01MR
Fuji Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK3645-01MR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK368YTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236 | 2SK368YTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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