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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK791
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 850V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK791 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK796
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK796 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK790
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 500V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK790 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK797
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK797 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK792
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK792 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK796A
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK796A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK797
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK797 |
0
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2SK794
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 900V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK794 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK799
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK799 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK799
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 450V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK799 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK795TX
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK795TX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK795H
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK795H |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK798
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK798 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK795
Panasonic Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK795 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK793
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 850V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK793 |
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