Showing 25 of 39 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879
Toshiba
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1 | N-ch Junction FET, -50 V, 0.3 to 6.5 mA, SOT-323(USM) | Other | 2SK879 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879-Y(TE85L,F)
Toshiba
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1 | JFET Junction FET N-Ch 0.3 to 6.5mA 10mA | SOT23 (3-Pin) | 2SK879-Y(TE85L,F) |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879OTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879OTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK873
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK873 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879OTE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879OTE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK875
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 450V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK875 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879YTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879YTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK875
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 450V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK875 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879-Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK877-2
Sony Semiconductor
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1 | Transistor | 2SK877-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879-R(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879-R(TE85L,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879-Y(T5LKENW,F
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879-Y(T5LKENW,F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK876
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 500V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK876 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK878-1
Sony Semiconductor
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel | 2SK878-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK877-3
Sony Semiconductor
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1 | Transistor | 2SK877-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879GTE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879GTE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK874
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK874 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879GTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879GTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK873
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 450V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK873 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK871
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 900V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK871 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK874
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK874 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879TE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879TE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK878-2
Sony Semiconductor
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1 | RF Small Signal Field-Effect Transistor, N-Channel | 2SK878-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK872
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK872 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK879-O(TE85R,F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK879-O(TE85R,F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||