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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313
Toshiba
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1 | Field effect transistor, silicon P channel, MOS type | Transistor Outline, Vertical | 2SJ313 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313-Y(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ313-Y(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313-Y(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ313-Y(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313-O
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ313-O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313-O(F)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ313-O(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313-O(Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ313-O(Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313O
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 180V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ313O |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 180V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ313Y |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ313-Y
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SJ313-Y |
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