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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ENGNTBT023N65GN1TXG
onsemi
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1 | Optimized for High Switching Frequency (500 kHz to 2 MHz); Low Gate Charge and Output Charge (Qoss, Qg); No Reverse-Recovery Charge; Capable of Reverse Conduction | Other | ENGNTBT023N65GN1TXG |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NTBT023N65GN1TXG
onsemi
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1 | Optimized for High Switching Frequency (500 kHz to 2 MHz); Low Gate Charge and Output Charge (Qoss, Qg); No Reverse-Recovery Charge; Capable of Reverse Conduction | Other | NTBT023N65GN1TXG |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N65G-TMS4-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N65G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-T60-K
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N65G-T60-K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TC2-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N65G-TC2-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TA-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N65G-TA-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TA-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N65G-TA-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 3N65G-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N65G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N65G-CB-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TA-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N65G-TA-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N65G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TC2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N65G-TC2-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N65G-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TA-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N65G-TA-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-CB-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N65G-CB-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 3N65G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 3N65G-TMS2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 3N65G-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TC2-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 3N65G-TC2-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TA-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N65G-TA-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TA5-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N65G-TA5-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-MH-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 4.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Planar Mosfet FET, TO-252 | 3N65G-MH-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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3N65G-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 650V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 3N65G-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||