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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-N-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-N-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-S-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N60G-S-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-B-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 4N60G-B-T2Q-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-TC1-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N60G-TC1-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-B-TB3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 4N60G-B-TB3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-B-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 4N60G-B-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-E-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-E-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-S-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-S-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-HC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-HC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-CB-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-E-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-E-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-N-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N60G-N-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N60G-TND-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-A-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 4N60G-A-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-S-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-S-TMS2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-Q-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N60G-Q-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-N-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4N60G-N-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-TC4-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N60G-TC4-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N60G-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N60G-TQ3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N60G-TQ3-R |
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4N60G-C-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N60G-C-TM3-T |
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4N60G-N-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N60G-N-TQ2-T |
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4N60G-S-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N60G-S-TQ2-R |
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