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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-N-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-N-TND-R |
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4N65G-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-TND-R |
0
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4N65G-Q-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-Q-TF1-T |
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4N65G-N-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-N-TMS2-T |
0
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4N65G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-TF1-T |
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4N65G-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-CB-TF2-T |
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4N65G-TC3-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-TC3-TN3-R |
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4N65G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N65G-TQ2-T |
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4N65G-E-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-E-TF1-T |
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4N65G-N-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-N-TMS4-T |
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4N65G-N-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 4N65G-N-T2Q-T |
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4N65G-Q-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-Q-TN3-R |
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4N65G-E-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N65G-E-TQ2-T |
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4N65G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4N65G-K08-5060-R |
0
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4N65G-ML-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-ML-TM3-T |
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4N65G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65G-Q-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-Q-TND-R |
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4N65G-CB-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65G-CB-TM3-R |
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4N65G-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N65G-TQ2-R |
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4N65G-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-CB-TN3-R |
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4N65G-Q-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-Q-TF2-T |
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4N65G-ML-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-ML-TF2-T |
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4N65G-TC2-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-TC2-TN3-R |
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4N65G-E-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65G-E-TN3-R |
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4N65G-Q-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65G-Q-TF3T-T |
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