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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FIR4N65LG
First Semiconductor
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1 | Advanced N-Channel Power MOSFET | Other | FIR4N65LG |
2
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4N65L-S-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65L-S-TN3-T |
0
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4N65L-C-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-C-TF1-T |
0
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4N65L-N-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-N-TMS2-T |
0
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4N65L-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-TMS-T |
0
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4N65L-Q-TMA-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-Q-TMA-T |
0
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4N65L-Q-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4N65L-Q-K08-5060-R |
0
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4N65L-Q-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | 4N65L-Q-TQ2-T |
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4N65L-N-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-N-TM3-T |
0
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4N65L-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-CB-TM3-T |
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4N65L-Q-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65L-Q-TND-R |
0
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4N65L-Q-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-Q-TF2-T |
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4N65L-Q-TMA8-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-Q-TMA8-T |
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4N65L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-CB-TF3-T |
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4N65L-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-CB-TF1-T |
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4N65L-HC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-HC-TM3-T |
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4N65L-E-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-E-TF3-T |
0
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4N65L-Q-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-Q-TF3T-T |
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4N65L-HC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-HC-TF1-T |
0
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4N65L-E-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65L-E-TND-R |
0
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4N65L-CBQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-CBQ-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4N65L-ML-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4N65L-ML-TM3-T |
0
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4N65L-R-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-R-TF1-T |
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4N65L-Q-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4N65L-Q-TN3-R |
0
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4N65L-N-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 650V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4N65L-N-TF3-T |
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