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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AG-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, | 4NM80AG-TF2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | 4NM80L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AL-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4NM80AL-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | 4NM80G-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80L-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-251 | 4NM80L-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AL-AA2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4NM80AL-AA2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AG-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4NM80AG-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | 4NM80L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AG-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4NM80AG-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AG-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4NM80AG-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | 4NM80G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AL-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4NM80AL-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80L-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-251 | 4NM80L-TMS-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4NM80AL-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 4NM80AG-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80G-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | 4NM80G-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-220AB | 4NM80L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 4NM80G-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AL-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4NM80AL-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AL-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 4NM80AL-TMS-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AG-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4NM80AG-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-251 | 4NM80G-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80AL-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 4NM80AL-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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4NM80L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-252 | 4NM80L-TN3-R |
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4NM80G-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-251 | 4NM80G-TMS-T |
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