Showing 25 of 30 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGB25N40LZAG
STMicroelectronics
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1 | STMicroelectronics STGB25N40LZAG IGBT, 25 A 435 V, 3-Pin D2PAK | Other | STGB25N40LZAG |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N40L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 5N40L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-CB-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N40L-CB-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N40L-CB-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N40L-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N40L-CB-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N40L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N40L-CB-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-MTQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N40L-MTQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N40L-CB-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 400V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N40L-CB-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGU15N40L
Samsung Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 450V V(BR)CES, N-Channel | SGU15N40L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGS15N40L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel | FGS15N40L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGR15N40L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | SGR15N40L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGU15N40LTU
Rochester Electronics LLC
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1 | 400V, N-CHANNEL IGBT, TO-251, IPAK-3 | SGU15N40LTU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGR15N40LTF
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | SGR15N40LTF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N40L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N40L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGU15N40L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-251 | SGU15N40L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGS15N40LTF_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel | FGS15N40LTF_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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25N40L-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 400V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 25N40L-T47-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGR15N40LTM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | SGR15N40LTM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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15N40L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 400V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 15N40L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGR15N40LTM
Rochester Electronics LLC
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1 | 400V, N-CHANNEL IGBT, TO-252, DPAK-3 | SGR15N40LTM |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FGS15N40LTU
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel | FGS15N40LTU |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SGR15N40L
Samsung Semiconductor
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 450V V(BR)CES, N-Channel | SGR15N40L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||