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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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KGF75N60KDB
KEC
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1 | KGF75N60KDB | Transistor Outline, Vertical | KGF75N60KDB |
3
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5N60KL-MT-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N60KL-MT-TM3-T |
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5N60KG-MT-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N60KG-MT-TN3-R |
0
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5N60KG-MT-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KG-MT-TF2-T |
0
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5N60KL-TCQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KL-TCQ-TF1-T |
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5N60KG-MTQ-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KG-MTQ-TF3-T |
0
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5N60KL-MT-TF3T-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KL-MT-TF3T-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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5N60KG-TCQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KG-TCQ-TF1-T |
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5N60KG-MTQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KG-MTQ-TF1-T |
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5N60KG-MTQ-T2Q-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | 5N60KG-MTQ-T2Q-T |
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5N60KG-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KG-MT-TF1-T |
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5N60KG-MTQ-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N60KG-MTQ-TMS4-T |
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5N60KG-MT-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N60KG-MT-TMS-T |
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5N60KL-MT-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KL-MT-TF1-T |
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5N60KL-MT-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N60KL-MT-TN3-R |
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5N60KG-TCQ-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KG-TCQ-TA3-T |
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5N60KG-MTQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N60KG-MTQ-TN3-R |
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5N60KL-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KL-MT-TF3-T |
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5N60KG-MT-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N60KG-MT-TM3-T |
0
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5N60KG-TCQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N60KG-TCQ-TN3-R |
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5N60KL-MTQ-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N60KL-MTQ-TM3-T |
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5N60KL-MTQ-TMS2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 5N60KL-MTQ-TMS2-T |
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5N60KG-MT-TND-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N60KG-MT-TND-R |
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5N60KL-TCQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 5N60KL-TCQ-TN3-R |
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5N60KG-MT-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 5N60KG-MT-TF3-T |
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