Showing 25 of 67 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
6N60G-C-TMS-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60G-C-TMS-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-P-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60G-P-TM3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-CBS-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-CBS-TA3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-TC2-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-TC2-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-B-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60G-B-TA3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-CQ-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-CQ-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60G-TM3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-P-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60G-P-TQ2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-CB-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-C-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-C-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-P-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60G-P-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-B-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60G-B-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-P-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60G-P-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-CBS-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-CBS-TF1-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-C-TMS4-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60G-C-TMS4-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-HC-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-HC-TA3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60G-CB-TM3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-P-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60G-P-TQ2-R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-CB-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-A-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | 6N60G-A-TF3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-CBS-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-CBS-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-TC2-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 6N60G-TC2-TM3-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
6N60G-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 1.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 6N60G-CB-TF2-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||