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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFB17N50L
Vishay
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1 | Low gate charge Qg results in simple driveRequirement | Transistor Outline, Vertical | IRFB17N50L |
3
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7N50L-TC-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-TC-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-TC-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-TC-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-CB-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 7N50L-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CBS-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 7N50L-CBS-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CBS-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-CBS-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-MTQ-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.87ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 7N50L-MTQ-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 7N50L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-TC-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-TC-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CBS-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-CBS-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-CB-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CB-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 7N50L-CB-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CB-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-CB-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-TC-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 7N50L-TC-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-TC-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-TC-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-CB-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CBS-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-CBS-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-TC-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 7N50L-TC-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CBS-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 7N50L-CBS-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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7N50L-CBS-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 1.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 7N50L-CBS-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP17N50LS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP17N50LS |
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IRFBL17N50LPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFBL17N50LPBF |
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