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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGD18N40LZT4
STMicroelectronics
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1 | STMICROELECTRONICS - STGD18N40LZT4 - IGBT Single Transistor, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252 (DPAK), 3 Pins | Other | STGD18N40LZT4 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGB18N40LZT4
STMicroelectronics
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1 | STMicroelectronics STGB18N40LZT4, IGBT Transistor, 30 A 420 V, 1MHz, 3-Pin D2PAK | Other | STGB18N40LZT4 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-CB-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 8N40L-CB-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-CB-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 8N40L-CB-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-CB-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 8N40L-CB-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 8N40L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 8N40L-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-CB-TM3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | 8N40L-CB-TM3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 8N40L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-CB-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 8N40L-CB-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | 8N40L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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8N40L-CB-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 400V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 8N40L-CB-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGD18N40LZT4TRL
STMicroelectronics
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), N-Channel | STGD18N40LZT4TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGP18N40LZ
STMicroelectronics
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 420V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | STGP18N40LZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGB18N40LZT4TRL
STMicroelectronics
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), N-Channel | STGB18N40LZT4TRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGD18N40LZ-1
STMicroelectronics
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 420V V(BR)CES, N-Channel, TO-251 | STGD18N40LZ-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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18N40L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 18N40L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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18N40L-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | 18N40L-T47-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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18N40L-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 400V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 18N40L-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STGB18N40LZ-1
STMicroelectronics
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 420V V(BR)CES, N-Channel, TO-262AA | STGB18N40LZ-1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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18N40L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 18N40L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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