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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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9N04PCQR
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Inverter, TTL, PDIP14 | 9N04PCQR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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9N04PC
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Inverter, TTL, PDIP14 | 9N04PC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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9N04PCQM
Fairchild Semiconductor Corporation
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0 | Inverter, TTL, PDIP14 | 9N04PCQM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUJ-E2B-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN | NP109N04PUJ-E2B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUK-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP109N04PUK-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG-E2-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP89N04PDK-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NP89N04PDK-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP89N04PUK-E2-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP89N04PUK-E2-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUJ-E1B-AY
NEC Electronics America Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZP, TO-263, 3 PIN | NP109N04PUJ-E1B-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUJ-E1B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUJ-E1B-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP89N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP89N04PUK-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP89N04PDK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | NP89N04PDK-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG-E1-AY |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUK-E1-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NP109N04PUK-E1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG-E1-AY
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG-E1-AY |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUG
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NP109N04PUJ-E2B-AY
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | NP109N04PUJ-E2B-AY |
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