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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD04N60RF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD04N60RF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD04N60RATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD04N60RATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD06N60RFATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD06N60RFATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD06N60R
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD06N60R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD04N60R
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD04N60R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD03N60RF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD03N60RF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD06N60RF
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD06N60RF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD03N60RFATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 6.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD03N60RFATMA1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD04N60RFATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD04N60RFATMA1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIHD06N60RATMA1
Infineon Technologies AG
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 12A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252 | AIHD06N60RATMA1 |
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