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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R060M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 840 V 30A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 ,840 V , 3mA ,716 pF ,-55°C ~ 175°C | Small Outline Packages | AIMDQ75R060M2HXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R040M1HXUMA1
Infineon
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1 | MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS | Small Outline Packages | AIMDQ75R040M1HXUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R140M1HXUMA1
Infineon
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1 | Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP | Other | AIMDQ75R140M1HXUMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R025M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 70A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 -55°C ~ 175°C 1729 pF @ 500 V 49 nC @ 18 V 15V, 20V | Other | AIMDQ75R025M2HXTMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R008M1HXUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 173A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 | Small Outline Packages | AIMDQ75R008M1HXUMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R016M1HXUMA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 98A (Tc) 384W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22 | Other | AIMDQ75R016M1HXUMA1 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R040M2HXTMA1
Infineon
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1 | N-Channel 840 V 45A (Tc) 182W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1 , 840 V , 15V, 20V , 36mOhm , -55°C ~ 175°C | Other | AIMDQ75R040M2HXTMA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R090M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 750V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | AIMDQ75R090M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R040M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | AIMDQ75R040M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R027M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 750V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | AIMDQ75R027M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R016M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 750V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AIMDQ75R016M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R016M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | AIMDQ75R016M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R020M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 81A I(D), 750V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AIMDQ75R020M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R060M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 750V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AIMDQ75R060M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R025M2H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | AIMDQ75R025M2H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R140M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 750V, 0.182ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AIMDQ75R140M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMDQ75R008M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 750V, 0.0106ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | AIMDQ75R008M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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