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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R008M1HXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 163A (Tc) 517W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-U02 | Other | AIMZA75R008M1HXKSA1 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R008M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 163A I(D), 750V, 0.0106ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | AIMZA75R008M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R140M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 750V, 0.182ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | AIMZA75R140M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R027M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 750V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | AIMZA75R027M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R020M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 750V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | AIMZA75R020M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R090M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 750V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | AIMZA75R090M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R060M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 750V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | AIMZA75R060M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R020M1HXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 75A (Tj) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 | AIMZA75R020M1HXKSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R016M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 89A I(D), 750V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | AIMZA75R016M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R016M1HXKSA1
Infineon
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1 | N-Channel 750 V 89A (Tc) 319W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 | AIMZA75R016M1HXKSA1 |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AIMZA75R040M1H
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 750V, 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | AIMZA75R040M1H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||