Showing 13 of 13 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AP01N60J
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP01N60J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N40J-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP01N40J-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N60P
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP01N60P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N60H-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP01N60H-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N40G-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 400V, 16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP01N40G-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N40J
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP01N40J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N60H
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP01N60H |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N40H-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP01N40H-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N60J-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 600V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP01N60J-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP01N15GK-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP01N15GK-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
GAP01NAC
Precision Monolithics Inc
|
1 | Analog Circuit | GAP01NAC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
GAP01NBC
Precision Monolithics Inc
|
1 | Analog Circuit | GAP01NBC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
NCEAP01ND35AG
NCEPOWER
|
1 | NCEAP01ND35AG is a SuperTrench Power MOSFET with 100V VDS, 35A ID, 24mΩ typical RDS(ON) at VGS=10V, suitable for high-frequency switching and synchronous rectification in automotive and DC/DC converter applications. | NCEAP01ND35AG |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||