Showing 25 of 35 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AP05N05-ZERO
HIECUBE
|
1 | Power Module AC-DC Through Hole RoHS | Other | AP05N05-ZERO |
3
|
Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N20GH-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP05N20GH-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50I-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP05N50I-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50P
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP05N50P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50IB-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP05N50IB-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50S-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AP05N50S-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50I
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP05N50I |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50EI-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP05N50EI-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50H-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP05N50H-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N20GI-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 200V, 0.56ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP05N20GI-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50H
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP05N50H |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50EJ-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP05N50EJ-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N50EH-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP05N50EH-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
AP05N20GJ-HF
Advanced Power Electronics Corp
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 200V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP05N20GJ-HF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA1R5M
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 1.5uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA1R5M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NAR22K
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 0.22uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NAR22K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA101M
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 100uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA101M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA101J
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 100uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA101J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA102J
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 1000uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA102J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA1R0K
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 1uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA1R0K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA1R0J
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 1uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA1R0J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA102K
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 1000uH, 10%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA102K |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NAR22J
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 0.22uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NAR22J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA1R0M
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 1uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA1R0M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
LAP05NA1R5J
TAIYO YUDEN
|
1 | General Purpose Inductor, 1.5uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core | LAP05NA1R5J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||