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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN030M
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN030M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN5R5LMT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN5R5LMT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN028YT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN028YT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN9R0P
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP10TN9R0P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN008CMT-L
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN008CMT-L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN135N
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN135N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN003R
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | AP10TN003R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN135H
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 100V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP10TN135H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN6R0P
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP10TN6R0P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN5R5MT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN5R5MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN004LCMT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN004LCMT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN004CMT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN004CMT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN040H
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 32.7A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP10TN040H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN010CMT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 100V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN010CMT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN135K
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN135K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN135M
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 100V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN135M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN003S
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AP10TN003S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN003P
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP10TN003P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN135JB
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 100V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP10TN135JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN028MT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN028MT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN008CMT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN008CMT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN6R0I
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP10TN6R0I |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN012LMT
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.0155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP10TN012LMT |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN003I
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP10TN003I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP10TN135J
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 100V, 0.135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP10TN135J |
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