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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407GM
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
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1 | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET, SO8 | Small Outline Packages | AP4407GM |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4405AENMC
Asahi Kasei Microdevices
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1 | -40 ~ +85 °C | Quad Flat No-Lead | AP4405AENMC |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4409AGEM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4409AGEM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407GS
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AP4407GS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4400AEMJX
Asahi Kasei Microsystems Corporation
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1 | Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +2.9V, PDSO10 | AP4400AEMJX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4405GM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4405GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4400AEMQF
Asahi Kasei Microsystems Corporation
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1 | Voltage Detector | AP4400AEMQF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407GM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4407GM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407I-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP4407I-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4400AEMME
Asahi Kasei Microsystems Corporation
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1 | Voltage Detector | AP4400AEMME |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4409GEM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 35V, 0.0075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4409GEM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4409AGEM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.5A I(D), 35V, 0.0075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4409AGEM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407GP-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP4407GP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4409AGM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.0072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP4409AGM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4400AEC
Asahi Kasei Microsystems Corporation
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1 | Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +3,2.5V, PBGA4 | AP4400AEC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4409AGEH-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 35V, 0.008ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP4409AGEH-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407P
Advanced Power Electronics Corp
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1 | TRANSISTOR 50 A, 30 V, 0.014 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose Power | AP4407P |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4400AEMHB
Asahi Kasei Microsystems Corporation
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1 | Voltage Detector | AP4400AEMHB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4400AEMNM
Asahi Kasei Microsystems Corporation
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1 | Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, +3.3V, PDSO10 | AP4400AEMNM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407I
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP4407I |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4409GEP-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 35V, 0.0082ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP4409GEP-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407GP
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP4407GP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407GR
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor | AP4407GR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4405AEN
Asahi Kasei Microsystems Corporation
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1 | Voltage Detector, Fixed, 1 Channel, PQCC16 | AP4405AEN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP4407S
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | AP4407S |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||