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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412AGM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9412AGM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9418GM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9418GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412GI
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP9412GI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9410GH-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP9410GH-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9410AGH-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP9410AGH-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412GH
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP9412GH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412GJ
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | AP9412GJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412GI-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP9412GI-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412CGM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9412CGM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412AGM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | AP9412AGM-HF | AP9412AGM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412BGM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9412BGM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412GP
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 73A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP9412GP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412AGI
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP9412AGI |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9410GM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9410GM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412BGM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9412BGM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9414GM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9414GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9410GMT-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9410GMT-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9410GM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9410GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9416GM
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9416GM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9410AGM-HF
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | AP9410AGM-HF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412AGH
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | AP9412AGH |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AP9412AGP
Advanced Power Electronics Corp
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1 | Power Field-Effect Transistor, 68A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | AP9412AGP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLD5F15CA-P9415
FUJITSU Limited
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1 | Optoelectronic Device | FLD5F15CA-P9415 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLD5F15CA-P9410
FUJITSU Limited
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1 | Optoelectronic Device | FLD5F15CA-P9410 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLD5F15CA-P9410
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
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1 | Laser Diode Module Emitter | FLD5F15CA-P9410 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||