Showing 25 of 126 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120KR
Microsemi Corporation
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1 | ic | Transistor Outline, Vertical | APT11GF120KR |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120BRD
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT11GF120BRD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11N80BC3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT11N80BC3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11N80BC3
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT11N80BC3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11N80KC3G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT11N80KC3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11N80KC3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT11N80KC3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11N80KC3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | APT11N80KC3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11N80BC3G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT11N80BC3G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120BRD1
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT11GF120BRD1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120BRD
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT11GF120BRD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11N80BC3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT11N80BC3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120BRD1
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT11GF120BRD1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1101RBFLLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1101RBFLLG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GP60BDQBG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT11GP60BDQBG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GP60SA
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | APT11GP60SA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1101R2BFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1100V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1101R2BFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1101RBFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT1101RBFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC | APT11GF120BRDQ1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GP60K
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | APT11GP60K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120BRDQ1
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT11GF120BRDQ1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120BRDQ1G
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC | APT11GF120BRDQ1G |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11F80B
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT11F80B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT1101RSFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT1101RSFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11026JFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1100V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT11026JFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT110GF60JN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT110GF60JN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||