Showing 25 of 121 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT11GF120KR
Microsemi Corporation
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1 | ic | Transistor Outline, Vertical | APT11GF120KR |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11N80BC3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT11N80BC3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11N80KC3
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | APT11N80KC3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11N80BC3
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT11N80BC3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11N80BC3G
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT11N80BC3G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11N80KC3
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | APT11N80KC3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11N80KC3G
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.45ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | APT11N80KC3G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT1101RBFLLG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1101RBFLLG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT1101RBFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1100V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1101RBFLL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GP60SA
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 | APT11GP60SA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT1101R2BFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1100V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT1101R2BFLL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GF120BRD
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 11A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT11GF120BRD |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GP60BDQBG
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD | APT11GP60BDQBG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GF120KRG
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN | APT11GF120KRG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11058JFLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1100V, 0.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOTOP-4 | APT11058JFLL |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11044LFLLG
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 1100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, TO-264, 3 PIN | APT11044LFLLG |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11N80GC3
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT11N80GC3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GF120BRDQ1
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, TO-247, 3 PIN | APT11GF120BRDQ1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GP60SA
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, D2PAK-3 | APT11GP60SA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GF120BRDQ1
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, | APT11GF120BRDQ1 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GF120BRDQ1G
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN | APT11GF120BRDQ1G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT110GF60JN
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 110A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, ISOTOP-4 | APT110GF60JN |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11GF120BRDQ1G
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC | APT11GF120BRDQ1G |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT11F80B
Microsemi Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247, 3 PIN | APT11F80B |
0
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APT11GP60K
Microsemi Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | APT11GP60K |
0
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